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pecvd

pe 目的

在硅片表面沉积一层氮化硅减反射膜，以增加入射在硅片上的光的透射，减少反射，氢原子搀杂在氮化硅中附加了氢的钝化作用。

其化学反应可以简单写成 ： sih 4 +nh 3 =sin:h+3h 2 。

基本 原理

pecvd 技术原理是利用低温等离子体作能量源，样品置于低气压下辉光放电的阴极上，利用辉光放电（或另加---体）使样品升温到预定的温度，然后通入适量的反应气体，气体经一系列化学反应和等离子体反应，在样品表面形成固态薄膜。 pecvd 方法区别于其它 cvd 方法的特点在于等离子体中含有大量高能量的电子，它们可以提供化学气相沉积过程所需的---能。电子与气相分子的碰撞可以促进气体分子的分解、化合、激发和电离过程，生成活性---的各种化学基团，因而---降低 cvd 薄膜沉积的温度范围，使得原来需要在高温下才能进行的 cvd 过程得以在低温下实现。  

基本特征

1. 薄膜沉积工艺的低温化（ < 450 ℃ ）。

2. 节省能源，降低成本。

3. 提高产能。

4. 减少了高温导致的硅片中少子寿命衰减。

扩散方式

pe 设备有两类：平板式和管式。

按反应方式分为：直接式（岛津）和间接式（ roth ＆ rau  ）。

直接式：基片位于一个电极上，直接接触等离子体。  

间接式：基片不接触激发电极。 在微波激发等离子的设备里，等离子产生在反应腔之外，然后由石英管导入反应腔中。在这种设备里微波只激发 nh3 ，而 sih4 直接进入反应腔。间接 pecvd 的沉积速率比直接的要高很多，这对---生产尤其重要。

电池片各工艺流程危害要素及异常现象 

4.naoh产生金字塔式绒面。naoh浓度值越高，金字塔式容积越小，反映前期，金字塔式成核相对密度类似没受naoh浓度值危害，碱水溶液的腐蚀随naoh浓度值转变比较---，浓度值高的naoh水溶液与硅体现的速率加速，再反映过段时间后，金字塔式容积。naoh浓度值超出必须界线时，各向---系数缩小，绒面会愈来愈差，类似打磨抛光。可控性水平：与ipa相近，线性度不高。 

5.na2sio3si和naoh反映生产制造的na2sio3和添加的na2sio3能具有缓冲剂的功效，使反映不会很---，变的轻缓。na2sio3使反映拥有大量的起始点，回收电站拆卸太阳能板，生长发育出的金字塔式更匀称，更小一点儿na2sio3多的那时候要立即的排出去，na2sio3传热性差，会危害反映，水溶液的黏稠度也提升，非常容易产生水流、花蓝印和表层黑斑。可控性水平：没办法---。4酸洗钝化hcl除去硅片表层的金属材料残渣---具备酸和络合剂的双向功效，---盐能与多种多样金属材料正离子产生可溶解与水的络合物。6酸洗钝化hf除去硅片表层空气氧化层，sio26hf=h2[sif6]2h2o。 

基准点1．减薄量界定：硅片制绒前后左右的前后左右净重差。---范畴多晶硅125，硅片薄厚在200±25μm左右，减薄量在0.5±0.2g；硅片薄厚在200±25μm左右，减薄量在0.4±0.2g。多晶硅156，首篮减薄量在0.7±0.2g；之后减薄量在0.6±0.2g。2．绒面分辨规范：成核相对密度高，尺寸适度，匀称。

---范畴：多晶硅：金字塔式规格3~10um。3．外型无豁口，黑斑，裂痕，激光切割线，刮痕，凹痕，有没有白斑病，赃污。