晶硅太阳能光伏板的制做全过程
3、去磷硅玻璃该加工工艺用以太阳能电池片生产加工全过程中,根据有机化学浸蚀法也即把硅片放到---水溶液中侵泡,使其造成放热反应转化成可溶的络和物---硅酸,以除去外扩散制结后在硅片表层产生的一层层磷硅玻璃。在外扩散全过程中,pocl3与o2反映转化成p2o5淀积在硅片表层。p2o5与si反映又转化成sio2和磷分子,那样就在硅片表层产生一层层带有磷原素的sio2,称作磷硅玻璃。去磷硅玻璃的机器设备通常由本身、清理槽、伺服电机驱动器系统软件、机械手臂、电气系统和全自动配酸系统软件等一部分构成,关键能源有---、n2、空气压缩、纯净水,热排风系统和污水。---可以融解sio2由于---与sio2反映转化成容易挥发的四---硅汽体。若---过多,反映转化成的四---硅会深化与---反映转化成可溶的络和物---硅酸。
4、低温等离子刻蚀因为在外扩散全过程中,即便选用背对背外扩散,硅片的全部表层包含边沿都将难以避免地外扩散上磷。pn结的反面所搜集到的光生电子器件会顺着边沿外扩散有磷的地区流进pn结的反面,而导致短路故障。因而,务必对太阳电池附近的夹杂硅开展刻蚀,以除去充电电池边沿的pn结。一般 选用低温等离子刻蚀技术性进行这一加工工艺。低温等离子刻蚀是在底压情况下,反映汽体cf4的孕妈分子结构在频射输出功率的激起下,造成电离并产生等离子技术。等离子技术是由感应起电的电子器件和正离子构成,反映波导管中的汽体在电子器件的碰撞下,除开转化成正离子外,还能---吸收动能并产生很多的特---基团。特---反映基团因为外扩散或是在静电场功效下抵达sio2表层,在那边与被刻蚀原材料表层产生放热反应,发电板回收多少钱,并产生挥发物的反映反应物摆脱被刻蚀化学物质表层,被超滤装置抽出来波导管。
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太阳电池片标准
4.1.6 外观
电池的颜色应均匀一致,无明显的色差、水痕、手印等外观缺陷。
电池的崩边、钝性缺口等外形缺损的尺寸要求:长度不大于 1.5mm ,由边缘向中心的---不大于0.5mm ,同一片电池上正面出现此类外形缺损数量不超过三处。同时不允许电池上有肉眼可见的裂纹以及 v 形缺口。
4.2 力学性能
4.2.1 弯曲变形
一般情况下,电池的弯曲变形用电池的弯曲度来衡量。不同尺寸规格的电池允许的大弯曲度应在产品详细规范中规定。
4.2.2 电极附着强度或电极 / 焊点的抗拉强度
电极附着应牢固,电极附着强度或电极 / 焊点的抗拉强度不小于1.22n/mm. 。
4.3 电性能
4.3.1 电性能参数的温度系数
应按照电池使用要求的温度范围,测量其电性能参数的温度系数。
4.3.2 电性能参数
电池电性能参数(包括低辐照度性能)应在产品详细规范中规定。
4.4 热循环试验
经 -40 °~ 85 °温度循环 5 次后,电池的外观,力学性能符合本标准规定的要求,电池的转换效率衰减不超过 3% 。
电池片的检验
一十三、印刷图型
主栅线:
---:主栅线容许有轻度断开、缺少、歪曲、突显,断开和缺少总面积不超出主栅线总面积的5%,歪曲突显部超出一切正常部位的0.2mm,滴胶板发电板回收,不容许有掉色状况(烧糊、变黄)
新的规范:主栅大小匀称,不容许有断开,缺少、歪曲及其突显。
b级:断开和缺少总面积不超出主栅线总面积的10%,歪曲突显部超出一切正常部位的0.2mm,不容许有掉色状况(烧糊、变黄)
新的规范:主栅大小匀称,容许有断开,缺少总面积不超出主栅线总面积的5%,歪曲突显不超出一切正常部位的0.2mm,不容许有掉色状况(烧糊、变黄)
c级:断开和缺少总面积不超出主栅线总面积的20%,歪曲突显部超出一切正常部位的0.2mm,不容许有掉色状况
新的规范:主栅线:断开,缺少总面积不超出主栅线总面积的20%,歪曲、突显不超出一切正常部位的0.5mm,
副栅线:
---:副栅线容许大小不匀称,存有总宽超过0.13mm,低于18mm的副栅线,段栅线≤6条,断开间距≤2mm,容许有轻度虚印、缺印,总面积低于电级占地面积的5%.
新的规范:副栅线清楚,容许有两根栅线存有断开,断掉总数≤3条,断掉间距≤0.5mm;不容许有一切虚印、粗点;不容许有掉色状况。
b级:容许大小不匀称,存有总宽≤0.25mm的副栅线,段栅线≤10条,断开间距≤2mm,容许有轻度虚印、缺印,总面积低于电级占地面积的10%.
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