半导体器件生产中硅片须经严格清洗。微量污染也会导致器件失效。清洗的目的在于清除表面污染杂质,包括有机物和无机物。这些杂质有的以原子状态或离
子状态,有的以薄膜形式或颗粒形式存在于硅片表面。有机污染包括光刻胶、---残留物、合成蜡和人接触器件、工具、器皿带来的油脂或纤维。无机污染包括
重金属金、铜、铁、铬等,---影响少数载流子寿命和表面电导;碱金属如钠等,引起---漏电;颗粒污染包括硅渣、尘埃、---、微生物、有机胶体纤维等,会导
致各种缺陷。清除污染的方法有物理清洗和化学清洗两种。
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硅生产原料在化学用硅生产上,原料是实现---作业的先决条件。用石英的岩石作生产化学金属硅的原料,低灰分的含碳材料作还原剂。电炉法生产化学用硅的原料主要有硅石和碳素原料。碳素原料又以石油焦为主,有的煤或木炭,也可以掺用一部分,以增加炉料比电阻。硅石适宜粒度受硅石种类、电炉、容量、操作状况以及还原剂的种类和粒度等多种因素影响,要根据具体的冶炼条件来决定。
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硅对原料要求具有---的纯度,有---的反应能力,以便达到产品的规格;还原剂具有不同的反应能力,以便能与石英石发生充分反应;炉料具有不同的成分,并且既有不同的粒度,以便通过适当的配合,使炉料电炉发生---的影响。
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