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硅片清洁分类

2.化学清洗　　

化学清洗是为了除去原子、离子不可见的污染，方法较多，有溶剂萃取、酸洗（---、---、王水、各种混合酸等）和等离子体法等。其中双氧水体系清洗方法效果好，环境污染小。一般方法是将硅片先用成分比为h2so4:h2o2=5:1或4:1的酸性液清洗。清洗液的强氧化性，将有机物分解而除去；用超纯水冲洗后，再用成分比为h2o:h2o2:nh4oh=5:2：1或5:1：1或7:2：1的碱性清洗液清洗，由于h2o2的氧化作用和nh4oh的络合作用，许---属离子形成稳定的可溶性络合物而溶于水；然后使用成分比为h2o:h2o2:hcl=7:2：1或5:2：1的酸性清洗液，由于h2o2的氧化作用和---的溶解，以及氯离子的络合性，许---属生成溶于水的络离子，从而达到清洗的目的。

示踪原子分析和质谱分析表明，采用双氧水体系清洗硅片效果好，同时所用的全部化学试剂h2o2、nh4oh、hcl能够完全挥发掉。用h2so4和h2o2清洗硅片时，在硅片表面会留下约2×1010原子每平方厘米的硫原子，用后一种酸性清洗液时可以完全被清除。用h2o2体系清洗硅片无残留物，有害性小，也有利于工人健康和环境保护。硅片清洗中用各步清洗液处理后，都要用超纯水冲洗。

二、电路板的腐蚀成形

腐蚀是指将描绘好线路的敷铜板放入腐蚀液中腐蚀去多余的铜箔部分，终形成电路板。常用的电路板腐蚀成形方法有以下几种。

1．---化铁溶液腐蚀法

(1)取一只能够容纳电路板的耐腐蚀容器，例如塑料小盆，放入适量的---化铁(一般为固体)，并加入2至3倍的水，以能够完全淹没需腐蚀的敷铜板为准。---化铁与水的配比没有严格要求，浓度高一些则腐蚀速度快一些。

(2)将描绘好线路的敷铜板投入---化铁溶液中，敷铜板上没有被覆盖的铜箔部分即会逐渐被腐蚀掉，如下图所示。为了加快腐蚀速度，可以晃动容器使---化铁溶液流动。

(3)腐蚀过程中要注意观察，只要的铜箔已被腐蚀干净，就应及时将敷铜板取出，并用清水冲洗干净，以防腐蚀过度。