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六、镀减反射膜

抛光硅表面的反射率为35%，为了减少表面反射，提高电池的转换效率，需要沉积一层氮化硅减反射膜。现在工业生产中常采用pecvd设备制备减反射膜。pecvd即等离子增强型化学气相沉积。它的技术原理是利用低温等离子体作能量源，样品置于低气压下辉光放电的阴极上，利用辉光放电使样品升温到预定的温度，然后通入适量的反应气体sih4和nh3，气体经一系列化学反应和等离子体反应，西青电池片硅片回收，在样品表面形成固态薄膜即氮化硅薄膜。

硅片是半导体材料的基石，它是先通过拉单晶制作成硅棒，然后切割制作成的。由于硅原子的价电子数为4，回收客退实验电池片硅片回收，序数适中，所以硅元素具有特殊的物理化学性质，可用在化工、光伏、芯片等领域。---是在芯片领域，正式硅元素的半导体特性，使其成为了芯片的基石。在光伏领域，可用于太阳能发电。而且地球的地壳中硅元素占比达到25.8%，回收库存电池片硅片回收采购收购，开采较为方便，可回收性强，所以价格低廉，回收测试---电池片硅片回收收购，进-步增强了硅的应用范围。