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硅片清洁分类

2.化学清洗　　

化学清洗是为了除去原子、离子不可见的污染，方法较多，有溶剂萃取、酸洗（---、---、王水、各种混合酸等）和等离子体法等。其中双氧水体系清洗方法效果好，环境污染小。一般方法是将硅片先用成分比为h2so4:h2o2=5:1或4:1的酸性液清洗。清洗液的强氧化性，将有机物分解而除去；用超纯水冲洗后，再用成分比为h2o:h2o2:nh4oh=5:2：1或5:1：1或7:2：1的碱性清洗液清洗，由于h2o2的氧化作用和nh4oh的络合作用，许---属离子形成稳定的可溶性络合物而溶于水；然后使用成分比为h2o:h2o2:hcl=7:2：1或5:2：1的酸性清洗液，由于h2o2的氧化作用和---的溶解，以及氯离子的络合性，许---属生成溶于水的络离子，从而达到清洗的目的。

示踪原子分析和质谱分析表明，采用双氧水体系清洗硅片效果好，同时所用的全部化学试剂h2o2、nh4oh、hcl能够完全挥发掉。用h2so4和h2o2清洗硅片时，在硅片表面会留下约2×1010原子每平方厘米的硫原子，用后一种酸性清洗液时可以完全被清除。用h2o2体系清洗硅片无残留物，有害性小，也有利于工人健康和环境保护。硅片清洗中用各步清洗液处理后，都要用超纯水冲洗。