硅片,是制作集成电路的重要材料,通过对硅片进行光刻、离子注入等手段,可以制成各种半导体器件。用硅片制成的芯片有着---的运算能力。科学技术的发展不断推动着半导体的发展。自动化和计算机等技术发展,使硅片(集成电路)这种高技术产品的造价已降到十分低廉的程度。这使得硅片已广泛应用于航空航天、工业、农业和,甚至悄悄进入每一个家庭。
地壳中含量达25.8%的硅元素,为单晶硅的生产提供了取之不尽的源泉。由于硅元素是地壳中储量丰富的元素之一,对太阳能电池这样注定要进入---市场(massmarket)的产品而言,储量的优势也是硅成为光伏主要材料的原因之一。
硅片的工艺
面临挑战:
切割线直径
更细的切割线意味着---的截口损失,也就是说同一个硅块可以生产更多的硅片。然而,切割线更细更容易断裂。
荷载
每次切割的总面积,等于硅片面积x每次切割的硅块数量x每个硅块所切割成的硅片数量。
切割速度
切割台通过切割线切割网的速度,这在很大程度上取决于切割线运动速度,马达功率和切割线拉力。
易于维护性
线锯在切割之间需要更换切割线和研磨浆,维护的速度越快,总体的生产力就越高。
生产商必须平衡这些相关的因素使生产力达到大化。更高的切割速度和的荷载将会加大切割切割线的拉力,增加切割线断裂的风险。由于同一硅块上所有硅片是同时被切割的,只要有一条切割线断裂,所有部分切割的硅片都不得不丢弃。然而,使用更粗更牢固的切割线也并不可取,这会减少每次切割所生产的硅片数量,并增加硅原料的消耗量。
3, 醇铝水解法即为---醇铝法。宣城有一家是用的这种方法,目前日本和美国也主要采取这种工艺生产高纯度氧化铝,产品纯度---到5个9,主要用于led蓝宝石长晶行业。这种工艺比较复杂,国内能掌握此技术的很少。和直接水解法相比,这种工艺的主要优点是:
1)高纯铝和醇类反应充分,不需要加工成粉末,避免加工过程中带入fe,ti等杂质引入。
2)可以再次提纯,反应得到的---醇铝可以在230-250度下8级塔板精馏,以气态的形式收集高纯---醇铝,铁、钛、镍、锆、铅、镁等金属杂质不会气化,留在釜底。 冷凝下来的高纯---醇铝还可以再次用陶瓷膜分离,游离金属杂质钾,钠,锌等都被除去。
3)粉体在净化室内5n氮气氛围下煅烧减少了污染。
4)块体采用1000吨预压,再等静压,密度可以达到3.7。
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