3、刻蚀
在扩散工序，采用背靠背的单面扩散方式，硅片的侧边和背面边缘不可避免地都会扩散上磷原子。当阳光照射，p-n结的正面收集到的光生电子会沿着边缘扩散有磷的区域流到p-n结的背面，造成短路通路。短路通道等效于降低并联电阻。刻蚀工序是让硅片边缘带有的磷的部分去除干净，避免了p-n结短路并且造成并联电阻降低。
湿法刻蚀工艺流程：上片***蚀刻槽（h2so4hno3hf）***水洗***碱槽（koh）***水洗***hf槽***水洗***下片
hno3反应氧化生成sio2，hf去除sio2。刻蚀碱槽的作用是为了抛光未制绒面，使电池片变得光滑；碱槽的主要溶液为koh；h2so4是为了让硅片在流水线上漂浮流动起来，并不参与反应。
干法刻蚀是用等离子体进行薄膜刻蚀。当气体以等离子体形式存在时，一方面等离子体中的气体化学活性会变得相对较强，选择合适的气体，就可以让硅片更快速的进行反应，实现刻蚀；另一方面，可利用电场对等离子体进行引导和加速，使等离子体具有一定能量，当轰击硅片的表面时，硅片材料的原子击出，可以达到利用物理上的能量转移来实现刻蚀的目的。
多晶硅行业走势概况及预测
后市预测随着光伏市场的逐渐回暖，多晶硅开工增多，市场供应量有所增加但是从下游光伏利好到上游还需要一段时间的缓冲，多晶硅后市或将上扬，预计短期内价格---盘整仍会持续。1、发展壮大多晶硅产业的市场条件已经基本具备、---已经成熟，相关部门加大对多晶硅产业技术研发，科技---、工艺完善、项目建设的支持力度，抓住有利---发展壮大的多晶硅产业。
2、支持具条件的改良西门子法共性技术的实施，加快突破千吨级多晶硅产业化关键技术，形成从材料生产工艺、装备、自动控制、回收循环利用的多晶硅产业化生产线，材料性能接近国际同类产品指标；建成节能、低耗、、循环、经济的多晶硅材料生产体系，提高我们多晶硅在国际上的竞争力。
在基本的pcb上，零件集中在其中一面，导线则集中在另一面上。因为导线只出现在其中一面，所以这种pcb叫作单面板。多层板，回收电池板回收公司，多层有导线，必须要在两层间有适当的电路连接才行，这种电路间的桥梁叫做导孔（via）。电路板的基本设计过程可分为以下四个步骤：
（1）电路原理图的设计---电路原理图的设计主要是利用proteldxp的原理图编辑器来绘制原理图。
（2）生成网络报表---网络报表就是显示电路原理与中各个元器件的链接关系的报表，它是连接电路原理图设计与电路板设计的桥梁与纽带，通过电路原理图的网络报表，可以迅速地找到元器件之间的联系，从而为后面的pcb设计提供方便。
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