测试流程制定
如前文所述，单次测量光伏组件iv特性曲线，需同时测量其工作条件下的太阳辐照度，组件温度及环境温度。参照iec 60904-1中相关内容，制定了光伏组件户外测试流程，步骤如下：
1）同步测量环境中太阳辐照度，组件温度及环境气温，并记录数据；
2）测量光伏组件开路电压voc及短路电流isc,计算近似大功率点处电压vapp =0.8voc,计算恒压模式下测量点数ncv；
3）计算电压变化步长δv =vapp/ncv,设置可编程电子负载为恒压工作模式，以步长δv 依次测量iv特性曲线上各点；
4）当ncv个点测量完成，此时光伏组件工作电压为vapp ,测量相应的工作电流iapp ,由iapp 计算恒流模式下测量点数ncc；
5）计算电流变化步长δi=iapp/ncc,设置可编程电子负载为恒流工作模式，以步长δi 从当前工作点继续扫描iv特性曲线，直至剩余点测量完成；
3.1 恒流工作模式控制电路
典型的mosfet有3个工作区，即截止区、线性区和饱和区。当mosfet工作于线性区时，通过控制其栅源极之间电压vgs可实现对其流过电流id的控制，终控制其等效阻抗，从而对电源的输出性能测试。其子控制电路如图2所示，选用低温漂采样电阻采集电流信号，再将该电流信号差分放大接入运放u1a 反向输入端，u1a将电流信号和同向输入端的控制信号作比较运算，控制mosfet栅极电压，实现对mosfet等效阻抗的控制。
硅片，是制作集成电路的重要材料，通过对硅片进行光刻、离子注入等手段，可以制成各种半导体器件。用硅片制成的芯片有着---的运算能力。科学技术的发展不断推动着半导体的发展。自动化和计算机等技术发展，使硅片（集成电路）这种高技术产品的造价已降到十分低廉的程度。这使得硅片已广泛应用于航空航天、工业、农业和，甚至悄悄进入每一个家庭。
地壳中含量达25.8%的硅元素，为单晶硅的生产提供了取之不尽的源泉。由于硅元素是地壳中储量丰富的元素之一，对太阳能电池这样注定要进入---市场（massmarket）的产品而言，储量的优势也是硅成为光伏主要材料的原因之一。
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